Lightly-Doped Drain (LDD)A cross-se

Lightly-Doped Drain (LDD)
A cross-sectional view of an NMOS device using a lightly doped drain (LDD) structure is
shown in Fig. 6.18 (and Fig. 4.7). The addition of the lightly doped n- provides a resistive
buffer between the channel and the higher-doped source/drain. The effect of the LDD
structure is to increase the voltage dropped across the drain-channel interface, dVDSldXdl

Results (Vietnamese) 1:

Nhẹ Doped cống (LDD)Một cái nhìn mặt cắt của một thiết bị NMOS bằng cách sử dụng một cấu trúc nhẹ sườn cống (LDD) làHiển thị trong hình 6.18 (và hình 4.7). Việc bổ sung các nhẹ sườn n - cung cấp một điện trởbộ đệm giữa các kênh và nguồn/cống cao doped. Hiệu quả của LDDcấu trúc là tăng áp giảm xuống cống-kênh giao, dVDSldXdl

Results (Vietnamese) 2:

Xả Nhẹ pha tạp (LDD)
Một hình ảnh mặt cắt của một thiết bị sử dụng một NMOS cống pha tạp nhẹ (LDD) cấu trúc được
thể hiện trong hình. 6.18 (và Fig. 4.7). Việc bổ sung các n- pha tạp nhẹ cung cấp một điện trở
đệm giữa các kênh và các nguồn cao-doped / cống. Hiệu quả của LDD
cấu trúc là để tăng điện áp rơi trên giao diện cống kênh, dVDSldXdl