p-Type ZnO thin films have been rea

p-Type ZnO thin films have been realized via monodoping antimony (Sb) acceptor by using pulsed laser deposition. The obtained films with thำ best electrical properties show a hole concentration in the order of 1018 cm3 and resistivity in the range of 2–4 V cm. X-ray diffraction measurements revealed that all the films possessed a good crystallinity with (0 0 2)-preferred orientation. Guided by X-ray photoemission spectroscopy analysis and a model for large-sized-mismatched group-V dopant in ZnO, an SbZn–2VZn complex is believed to be the most possible acceptor in the Sb-doped p-type ZnO thin films.

Results (Thai) 1:

ชนิด p ZnO ฟิล์มบางได้รับการตระหนักทาง monodoping พลวง (Sb) ให้เป็นผู้รับ โดยใช้เลเซอร์พัลสะสม ภาพยนตร์ได้รับกับคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ดีที่สุดที่ thำ แสดงความเข้มข้นของหลุมลำดับ 1018 ซม. 3 และความต้านทานในช่วง 2 – 4 V ซม.กระจาย X-ray วัดเปิดเผยว่า ภาพยนตร์ทั้งหมดครอบครองผลึกที่ดีด้วย (0 0 2) -การวางแนว นำ โดยวิเคราะห์สเปกโทรสโก photoemission เอ็กซ์เรย์และแบบจำลองสำหรับขนาดใหญ่ขนาดตรงกลุ่ม V dopant ใน ZnO คอมเพล็กซ์ SbZn – 2VZn เชื่อว่าจะ ให้เป็นผู้รับเป็นไปได้มากที่สุดในฟิล์มบางใน ZnO เจือ Sb ชนิด p

Results (Thai) 2:

P-Type ZnO ฟิล์มบางได้รับการตระหนักผ่าน monodoping พลวง (SB) ใบเสร็จโดยใช้การสะสมเลเซอร์ชีพจร ภาพยนตร์ที่ได้รับกับ TH ำคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าที่ดีที่สุดแสดงความเข้มข้นหลุมในคำสั่งของ 1018 ซม. 3 และต้านทานในช่วง 2-4 ซม V X-ray วัดเลนส์เปิดเผยว่าภาพยนตร์ทั้งหมดครอบครองผลึกที่ดีกับ (0 0 2) การวางแนวทาง -preferred แนะนำโดย X-ray วิเคราะห์ photoemission สเปกโทรสโกและแบบจำลองสำหรับการขนาดใหญ่ที่ไม่ตรงกัน-กลุ่ม-V เจือปนใน ZnO ที่ซับซ้อน SbZn-2VZn เชื่อว่าจะเป็นตัวรับเป็นไปได้มากที่สุดใน SB-เจือ P-ชนิดฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์

Results (Thai) 3:

พีฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เกิดขึ้นได้ผ่าน monodoping พลวง ( Sb ) พระนาสิกโดยใช้แสงเลเซอร์พัลส์ให้การ นำภาพยนตร์กับ th ำไฟฟ้าที่ดีที่สุดคุณสมบัติแสดงหลุมความเข้มข้นในคำสั่งของเขา cm3 และความต้านทานในช่วง 2 – 3 5 cm การวัดการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ พบว่าภาพยนตร์ทั้งหมดในครอบครองของผลึกที่ดีกับ ( 0 0 ) ที่ต้องการใช้ แนะนำโดยเอ็กซ์เรย์ด้านสเปกโทรสโกปีและการวิเคราะห์รูปแบบขนาดใหญ่ขนาดไม่ตรงกัน group-v โดพันท์ใน ZnO , sbzn – 2vzn ซับซ้อนถือเป็น พระนาสิกที่เป็นไปได้มากที่สุดใน SB ด้วยพีฟิล์มบาง ZnO .