Anion doping can contribute to new

Anion doping can contribute to new valence band formation and shift valence bance band edge upward to marrow the band gap to make the semiconductor visible light active

Results (Thai) 1:

โดปปิงค์ anion สามารถนำไปสู่กำเนิดวงเวเลนซ์ใหม่และกะเวเลนซ์ bance วงขอบขึ้นไปไขช่องว่างวงที่ใช้สารกึ่งตัวนำแสงที่มองเห็น

Results (Thai) 2:

เติมประจุลบสามารถนำไปสู่​​การก่อตัวของวงดนตรีจุใหม่และเปลี่ยนความจุขอบวง Bance ขึ้นไปไขกระดูกช่องว่างวงดนตรีที่จะทำให้มองเห็นแสงสารกึ่งตัวนำที่ใช้งาน

Results (Thai) 3:

การเติมประจุลบสามารถสนับสนุนรูปแบบใหม่ 2 วง และกะทิ bance วงขอบขึ้นเพื่อไขช่องว่างแถบให้เซมิคอนดักเตอร์แสงงาน