Semiconductors differ in the way th

Semiconductors differ in the way they act electrically. Putting a thin piece of semiconductor of one type between two slices of another type has startling results: a little current in the central slice is able to control the flow of the current between the other two. That little current in the middle is supplied by an antenna or another transistor for example. Even when the input current is weak, as from a radio signal that's travelled a great distance, the transistor can control a strong current from another circuit through itself. In effect, the current through the 'output side' of the transistor mimics the behaviour of the current through the 'input side'. The result is a strong, amplified version of the weak radio signal.

Results (Russian) 1:

Полупроводников различаются в том, что они действуют электрически. Положить кусок тонкой полупроводниковых одного типа между двумя ломтиками другого типа имеет поразительные результаты: немного ток в Центральный фрагмент имеет возможность контролировать ток между двумя другими. Что мало ток в середине снабжается антенну или другой транзистор, например. Даже тогда, когда входной ток слабый, начиная с радио сигнал, который совершил большое расстояние, транзистор можно управлять сильный ток от другой цепи через себя. По сути ток через выходе транзистор имитирует поведение ток через «входе». Результатом является сильным, усиленная версия слабого сигнала.

Results (Russian) 2:

Полупроводниковые приборы отличаются тем, как они действуют электрически. Полагая тонкий кусок полупроводника одного типа между двумя кусками другого типа имеет поразительные результаты: немного тока в центральном сечении способен контролировать поток тока между двумя другими. Этот маленький ток в середине подается с помощью антенны или другого транзистора, например. Даже когда входной ток слабый, как от радиосигнала, который путешествовал на большое расстояние, транзистор может контролировать сильный ток от другого контура через себя. В сущности, ток через 'выходной стороне' транзисторных имитирует поведение тока через «входной стороне». Результатом является сильным, усиленный вариант слабого радиосигнала.