For example, in the simulation resu

For example, in the simulation results at Vas = 5 V (with VTHN roughly equal to 1 V), we
see that VDSsat is 1.4 V (not the 4 V we calculate using VGS - VTm) The actual charge
distribution in the channel is not constant but rather a function of VDS. Q 'fy) decreases as
we move away from the source of the MOSFET, causing Q '£L) to become zero earlier,
see Fig. 6.10.
C
gs Calculation in the Saturation Region
The gate-to-source capacitance of a MOSFET operating in the saturation region can be
determined by solving Eq. (6.26) for the total charge in the inverted channel,

Results (Vietnamese) 1:

Ví dụ, trong các kết quả mô phỏng tại Vas = 5 V (với VTHN khoảng tương đương với 1 V), chúng tôithấy rằng VDSsat là 1,4 V (không 4 V chúng tôi tính toán bằng cách sử dụng VGS - VTm) khoản phí thựcphân phối trong các kênh không phải là liên tục nhưng thay vì là một chức năng của VDS. Q ' fy) giảm khichúng tôi di chuyển ra khỏi nguồn MOSFET, gây ra Q ' £L) để trở thành 0 trước đó,Xem hình 6,10.CGS tính toán trong vùng bão hòaĐiện dung gate mã nguồn của một MOSFET hoạt động trong vùng bão hòa có thểxác định bằng cách giải Eq. (6,26) cho phí tất cả các kênh ngược,