A common question many people ask i

A common question many people ask is “why are there so many different types of
computer memory?” The answer is that new technologies continue to be introduced
in an attempt to match the improvements in CPU design—the speed of
memory has to, somewhat, keep pace with the CPU, or the memory becomes a
bottleneck. Although we have seen many improvements in CPUs over the past
few years, improving main memory to keep pace with the CPU is actually not as
critical because of the use of cache memory. Cache memory is a small, highspeed
(and thus high-cost) type of memory that serves as a buffer for frequently
accessed data. The additional expense of using very fast technologies for memory
cannot always be justified because slower memories can often be “hidden” by
high-performance cache systems. However, before we discuss cache memory, we
will explain the various memory technologies.
Even though a large number of memory technologies exist, there are only two
basic types of memory: RAM (random access memory) and ROM (read-only
memory). RAM is somewhat of a misnomer; a more appropriate name is readwrite
memory. RAM is the memory to which computer specifications refer; if
you buy a computer with 128 megabytes of memory, it has 128MB of RAM.
RAM is also the “main memory” we have continually referred to throughout this
book. Often called primary memory, RAM is used to store programs and data that
the computer needs when executing programs; but RAM is volatile, and loses this
information once the power is turned off. There are two general types of chips
used to build the bulk of RAM memory in today’s computers: SRAM and DRAM
(static and dynamic random access memory).
Dynamic RAM is constructed of tiny capacitors that leak electricity. DRAM
requires a recharge every few milliseconds to maintain its data. Static RAM technology,
in contrast, holds its contents as long as power is available. SRAM consists
of circuits similar to the D flip-flops we studied in Chapter 3. SRAM is
faster and much more expensive than DRAM; however, designers use DRAM
because it is much denser (can store many bits per chip), uses less power, and
generates less heat than SRAM. For these reasons, both technologies are often
used in combination: DRAM for main memory and SRAM for cache. The basic
operation of all DRAM memories is the same, but there are many flavors, including
Multibank DRAM (MDRAM), Fast-Page Mode (FPM) DRAM, Extended
Data Out (EDO) DRAM, Burst EDO DRAM (BEDO DRAM), Synchronous
Dynamic Random Access Memory (SDRAM), Synchronous-Link (SL) DRAM,
Double Data Rate (DDR) SDRAM, and Direct Rambus (DR) DRAM. The different
types of SRAM include asynchronous SRAM, synchronous SRAM, and
pipeline burst SRAM. For more information about these types of memory, refer
to the references listed at the end of the chapter.
In addition to RAM, most computers contain a small amount of ROM (readonly
memory) that stores critical information necessary to operate the system,
such as the program necessary to boot the computer. ROM is not volatile and
always retains its data. This type of memory is also used in embedded systems or
any systems where the programming does not need to change. Many appliances,
toys, and most automobiles use ROM chips to maintain information when the
power is shut off. ROMs are also used extensively in calculators and peripheral
devices such as laser printers, which store their fonts in ROMs. There are five
basic different types of ROM: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, and flash
memory. PROM (programmable read-only memory) is a variation on ROM.
PROMs can be programmed by the user with the appropriate equipment. Whereas
ROMs are hardwired, PROMs have fuses that can be blown to program the chip.
Once programmed, the data and instructions in PROM cannot be changed.
EPROM (erasable PROM) is programmable with the added advantage of being
reprogrammable (erasing an EPROM requires a special tool that emits ultraviolet
light). To reprogram an EPROM, the entire chip must first be erased. EEPROM
(electrically erasable PROM) removes many of the disadvantages of EPROM: no
special tools are required for erasure (this is performed by applying an electric
field) and you can erase only portions of the chip, one byte at a time. Flash memory
is essentially EEPROM with the added benefit that data can be written or
erased in blocks, removing the one-byte-at-a-time limitation. This makes flash
memory faster than EEPROM.

Results (Thai) 1:

คำถามทั่วไปที่หลายคนถามคือ "ทำไมมีชนิดแตกต่างกันมากหน่วยความจำคอมพิวเตอร์หรือไม่" คำตอบคือ ว่า เทคโนโลยีใหม่ยังสามารถนำมาใช้ในความพยายามเพื่อปรับปรุงในการออกแบบ CPU ซึ่งความเร็วของหน่วยความจำได้ ค่อนข้าง ให้ทันกับ CPU หรือใช้งานหน่วยความจำเป็นติดขัด ถึงแม้ว่าเราได้เห็นในการปรับปรุงใน Cpu ที่ผ่านมาไม่กี่ปี การปรับปรุงให้ทันกับ CPU หลักจำเป็นจริงไม่สำคัญเนื่องจากการใช้หน่วยความจำแคช หน่วยความจำแคชเป็นอินเตอร์ขนาดเล็ก(และ ราคาสูงดังนั้น) ทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์สำหรับบ่อยเข้าถึงข้อมูล ค่าใช้จ่ายเพิ่มเติมของการใช้เทคโนโลยีอย่างรวดเร็วสำหรับหน่วยความจำไม่สามารถชิดเนื่องจากความทรงจำช้าสามารถมักจะ "ซ่อน" ด้วยเสมอระบบแคชประสิทธิภาพสูง อย่างไรก็ตาม ก่อนเราหารือหน่วยความจำแคช เราจะอธิบายเทคโนโลยีหน่วยความจำต่าง ๆแม้ว่าเทคโนโลยีหน่วยความจำจำนวนมากอยู่ มีเพียง 2ชนิดพื้นฐานของหน่วยความจำ: RAM (หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม) และ ROM (อ่านอย่างเดียวหน่วยความจำ) RAM เป็น misnomer ค่อนข้าง ชื่อที่เหมาะสมเป็น readwriteหน่วยความจำ RAM เป็นหน่วยความจำที่คอมพิวเตอร์ดู ถ้าคุณซื้อคอมพิวเตอร์ที่ มีหน่วยความจำ 128 เมกะไบต์ มี RAM 128MBRAM ยังเป็น "หลักหน่วยความจำ" เราอย่างต่อเนื่องมีอ้างถึงทั้งนี้สมุด มักจะเรียกว่าหน่วยความจำหลัก RAM ถูกใช้เพื่อเก็บโปรแกรมและข้อมูลที่ความต้องการคอมพิวเตอร์เมื่อดำเนินโปรแกรม แต่ RAM จะระเหย และสูญเสียนี้ข้อมูลเมื่อพลังงานถูกปิด มีอยู่สองชนิดทั่วไปของชิใช้ในการสร้างกลุ่มของหน่วยความจำ RAM ในคอมพิวเตอร์วันนี้: SRAM และ DRAM(แบบสแตติก และไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม)RAM แบบไดนามิกจะสร้างของตัวเก็บประจุขนาดเล็กที่ไฟฟ้ารั่วไหล DRAMต้องมีการเติมพลังให้ทุกมิลลิวินาทีน้อยเพื่อรักษาข้อมูล เทคโนโลยี RAM คงมีเนื้อหาตรงกันข้าม ตราบใดที่อำนาจมี ประกอบด้วย SRAMวงจรคล้ายกับรองเท้าแตะสำหรับ D เราศึกษาในบทที่ 3 มี SRAMเร็ว และมากแพงกว่า DRAM อย่างไรก็ตาม นักออกแบบใช้ DRAMเนื่องจากเป็น denser มาก (สามารถเก็บหลายบิตต่อชิพ), ใช้พลังงานน้อยกว่า และสร้างความร้อนน้อยกว่า SRAM ด้วยเหตุนี้ เทคโนโลยีทั้งสองมักใช้ร่วม: DRAM สำหรับหน่วยความจำหลักและ SRAM สำหรับแคช พื้นฐานความทรงจำ DRAM ทั้งหมดที่ดำเนินการอยู่เหมือนกัน แต่มีรสชาติมากมาย รวมถึงMultibank (MDRAM), DRAM DRAM โหมดหน้าอย่างรวดเร็ว (FPM) ขยายข้อมูลออก DRAM (เอโดะ) ระเบิดเอโดะ DRAM (BEDO DRAM), ซิงโครนัสไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (SDRAM), DRAM แบบซิงโครนัสการเชื่อมโยง (SL)ข้อมูลคู่ราคา SDRAM (DDR) และตรง Rambus DRAM (DR) ที่แตกต่างกันชนิดของ SRAM มี SRAM แบบอะซิงโครนัส SRAM แบบซิงโครนัส และตอนระเบิด SRAM สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับชนิดของหน่วยความจำเหล่านี้การอ้างอิงอยู่ท้ายบทนอกจาก RAM คอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่ประกอบด้วยจำนวน ROM (อ่านเล็กน้อยหน่วยความจำ) ที่เก็บข้อมูลที่สำคัญจำเป็นต้องมีระบบเช่นโปรแกรมที่จำเป็นต้องเริ่มระบบคอมพิวเตอร์ ROM ไม่ระเหย และจะเก็บข้อมูล หน่วยความจำชนิดนี้ยังใช้ในระบบฝังตัว หรือระบบใด ๆ ที่เขียนโปรแกรมที่ไม่จำเป็นต้องเปลี่ยน เครื่องใช้ไฟฟ้ามากมายของเล่น และรถยนต์ส่วนใหญ่ใช้รอมอบเพื่อรักษาข้อมูลเมื่อการพลังงานถูกปิด ส่านยังใช้อย่างกว้างขวาง ในเครื่องคิดเลข และอุปกรณ์ต่อพ่วงอุปกรณ์เช่นเครื่องพิมพ์เลเซอร์ ที่เก็บของแบบอักษรในส่าน มีห้าพื้นฐานชนิดของ ROM: ROM พรหม EPROM, EEPROM และแฟลชหน่วยความจำ พรหม (โปรแกรมรอม) เป็นรูปแบบใน ROM.คอนเสิร์ตพร็อมส์สามารถตั้งโปรแกรม โดยผู้ใช้อุปกรณ์ที่เหมาะสม ในขณะที่ส่านเดินสาย ฟิวส์ที่สามารถพัดเป็นโปรแกรมชิพมีคอนเสิร์ตพร็อมส์เมื่อโปรแกรม ข้อมูลและคำแนะนำในพรหมได้EPROM (erasable พรหม) เป็นโปรแกรมที่ มีประโยชน์เพิ่มของreprogrammable (ลบ EPROM ต้องใช้เครื่องมือพิเศษที่ emits รังสีอัลตราไวโอเลตแสง) การ reprogram เป็น EPROM ชิพทั้งหมดต้องแรกจะถูกลบออกไป EEPROM(electrically erasable พรหม) เอามากมายข้อเสียของ EPROM: ไม่เครื่องมือพิเศษจำเป็นสำหรับ (ซึ่งดำเนินการ โดยใช้ไฟฟ้าปลอดภัยฟิลด์) และคุณสามารถลบเฉพาะบางส่วนของชิป ไบต์หนึ่งครั้ง หน่วยความจำแฟลชมี EEPROM หลักกับผลประโยชน์ที่สามารถเขียนข้อมูล หรือลบในบล็อก ลบหนึ่งไบต์ที่ที่เวลา ทำแฟลชหน่วยความจำเร็วกว่า EEPROM

Results (Thai) 3:

โดยทั่วไปคำถามที่หลายคนถามคือ " ทำไมถึงมีชนิดแตกต่างกันมากของ
หน่วยความจำคอมพิวเตอร์ ? " คำตอบคือ เทคโนโลยีใหม่ยังได้รู้จัก
ในความพยายามเพื่อให้ตรงกับในการปรับปรุงการออกแบบความเร็วของ CPU
หน่วยความจำได้ , ค่อนข้าง , ให้ทันกับ CPU หรือหน่วยความจำกลายเป็น
คอขวด . แม้ว่าเราจะได้เห็นการปรับปรุงมากมายในซีพียูที่ผ่านมา
ไม่กี่ปีการปรับปรุงหน่วยความจำหลักเพื่อให้ทัน กับ ซีพียู จริงไม่ได้
วิกฤตเพราะใช้ความจำแคช หน่วยความจำแคชมีขนาดเล็กความเร็วสูง
( และทำให้ค่าใช้จ่ายสูง ) ชนิดของหน่วยความจำที่ทำหน้าที่เป็นบัฟเฟอร์สำหรับบ่อย
เข้าถึงข้อมูล เพิ่มค่าใช้จ่ายของการใช้เทคโนโลยีได้อย่างรวดเร็วมากสำหรับหน่วยความจำ
ไม่สามารถเป็นธรรมเพราะความทรงจำช้ามักจะสามารถ " ซ่อน " โดย
ระบบแคชประสิทธิภาพสูง อย่างไรก็ตาม ก่อนที่เราจะหารือเกี่ยวกับความจำแคชเรา
จะอธิบายเทคโนโลยีหน่วยความจำต่างๆ
ถึงแม้ว่าตัวเลขขนาดใหญ่ของเทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีอยู่ มีเพียงสอง
ชนิดพื้นฐานของหน่วยความจำ : แรม ( หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม ) และรอม ( หน่วยความจำอ่านอย่างเดียว
) RAM เป็นบางส่วนของการเรียกชื่อผิด เป็นชื่อที่เหมาะสมมากขึ้น readwrite
หน่วยความจำRAM เป็นหน่วยความจำที่เครื่องคอมพิวเตอร์ข้อมูลอ้างอิง ถ้า
คุณซื้อคอมพิวเตอร์กับ 128 เมกะไบต์ของหน่วยความจำมี 128MB RAM .
รามยังเป็น " หน่วยความจำ " หลักที่เรามีอย่างต่อเนื่องอ้างถึงตลอดหนังสือเล่มนี้

มักจะเรียกว่าหน่วยความจำหลัก RAM ถูกใช้เพื่อเก็บโปรแกรมและข้อมูลที่
ความต้องการคอมพิวเตอร์เมื่อรันโปรแกรม แต่ RAM เป็นสารระเหยและสูญเสียนี้
ข้อมูลเมื่อไฟถูกปิด มีสองประเภททั่วไปของชิป
ใช้เพื่อสร้างเป็นกลุ่มของหน่วยความจำ RAM ในคอมพิวเตอร์วันนี้ : SRAM และ DRAM
( แบบคงที่และแบบไดนามิก หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม RAM )
แบบไดนามิกสร้างกระแสไฟฟ้าที่รั่วๆ ตัวเก็บประจุ DRAM
ต้องเติมเงินทุกไม่กี่มิลลิวินาทีในการรักษาของข้อมูลของ เทคโนโลยีของแรมแบบคงที่
ในความคมชัดถือเนื้อหาตราบเท่าที่พลังพร้อม SRAM ประกอบด้วย
วงจรคล้ายกับ D flops พลิก เราศึกษาในบทที่ 3 SRAM เป็น
ได้เร็วขึ้น และราคาแพงมากกว่ากัน อย่างไรก็ตาม นักออกแบบใช้ DRAM
เพราะมันหนาแน่นมาก ( สามารถเก็บหลายบิตต่อชิป ) , ใช้พลังงานน้อยลงและ
สร้างความร้อนน้อยกว่า SRAM . เหตุผลเหล่านี้ ทั้งเทคโนโลยีที่มักจะใช้ในการรวมกัน :
DRAM หน่วยความจำหลักและ SRAM สำหรับแคช การดำเนินงานขั้นพื้นฐาน
ความทรงจำ DRAM ทั้งหมดจะเหมือนกัน แต่มันมีหลายรสรวมทั้ง
multibank DRAM ( mdram ) , โหมดหน้าอย่างรวดเร็ว ( FPM DRAM ) , ขยาย
ข้อมูล ( สมัยเอโดะ ) DRAM , Burst EDO DRAM ( บี โด DRAM ) , Synchronous เข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่ม
แบบไดนามิก ( SDRAM ) , ซิงโคร ( ลิงค์ SL ) DRAM ,
2 อัตราข้อมูล ( DDR ) SDRAM และ RAMBUS DRAM โดยตรง ( ดร. ) .
ต่าง ๆประเภทของ SRAM รวมแบบ SRAM synchronous SRAM และ
ท่อระเบิด SRAM . สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับชนิดเหล่านี้ของหน่วยความจำ อ้างอิง
เพื่อการอ้างอิงที่แสดงในตอนท้ายของบทที่
นอกจากแรม คอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่มีจำนวนเล็ก ๆของรอม ( หน่วยความจำเมานท์ให้อ่านอย่างเดียว
) ที่จัดเก็บข้อมูลสำคัญที่จำเป็นเพื่อใช้งานระบบ ,
เช่น โปรแกรมที่จำเป็นในการบูตคอมพิวเตอร์รอมไม่ผันผวนและ
เสมอเก็บข้อมูลของ ของหน่วยความจำชนิดนี้ยังใช้ในระบบฝังตัวหรือระบบใด ๆที่โปรแกรม
ไม่ต้องเปลี่ยน หลายเครื่องใช้
ของเล่นและรถยนต์ส่วนใหญ่ใช้ ROM ชิปเพื่อรักษาข้อมูลเมื่อ
พลังงานถูกปิด รอมยังใช้อย่างกว้างขวางในเครื่องคิดเลขและอุปกรณ์ต่อพ่วง
เช่น เครื่องพิมพ์แบบเลเซอร์ซึ่งร้านแบบอักษรของพวกเขาในรอม . มีห้าประเภทที่แตกต่างกันของรอม
พื้นฐาน : รอม , พรหม , Eprom EEPROM และหน่วยความจำแฟลช

งานพรอม ( Promise / Star ) เป็นรูปแบบเกี่ยวกับรอม
proms สามารถโปรแกรมโดยผู้ใช้ที่มีอุปกรณ์ที่เหมาะสม ในขณะที่
รอมมีการเดินสาย proms มีฟิวส์ที่สามารถเป่าให้โปรแกรม
เมื่อโปรแกรมชิพข้อมูลและคำแนะนำในงานพรอมจะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ .
EPROM ( ลบออกพรหม ) เป็นโปรแกรมที่มีประโยชน์เพิ่มของถูก
reprogrammable ( การลบ EPROM ต้องมีเครื่องมือพิเศษที่เปล่งแสง UV
) เพื่อตั้งโปรแกรมใหม่เป็น EPROM , ชิปทั้งหมดจะต้องถูกลบ EEPROM
( ลบออก electrically พรหม ) ลบมากข้อเสียของ EPROM :
เครื่องมือพิเศษ เป็นลบ ( นี้จะดำเนินการโดยการใช้ไฟฟ้า
สนาม ) และคุณสามารถลบบางส่วนของชิปหนึ่งไบต์ในเวลา
หน่วยความจำแฟลชเป็นหลัก EEPROM กับสิทธิประโยชน์เพิ่มเติมที่ข้อมูลสามารถเขียนหรือ
ลบในบล็อก เอา one-byte-at-a-time ข้อจำกัด นี้จะทำให้แฟลช
หน่วยความจำที่เร็วกว่า EEPROM .