In a strict sense, the term density

In a strict sense, the term density refers to the number of memory cells per square
area of silicon. In practice, however, density often refers to the number of bits that can
be represented on a standard size chip. Thus, an engineer might refer to a ‘‘1 meg
chip’’, meaning a standard size chip that holds one megabit of memory. Higher density
is usually desirable because it means more memory can be held in the same physical
space. However, higher density has the disadvantages of increased power utilization
and, because more electric current generates more heat, increased heat generation.
The density of memory chips is related to the size of transistors in the underlying
silicon technology, which has followed Moore’s Law. Thus, memory density tends to
double approximately every eighteen months.

Results (Thai) 1:

ในความรู้สึกที่เข้มงวด ความหนาแน่นระยะที่อ้างอิงถึงจำนวนของเซลล์หน่วยความจำสำหรับแต่ละตารางพื้นที่ของซิลิคอน ในทางปฏิบัติ อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่นมักจะหมายถึงจำนวนบิตที่สามารถสามารถแสดงบนชิปขนาดมาตรฐาน ดังนั้น วิศวกรอาจหมายถึงการ '' 1 เม็กชิพ '', หมายถึง ชิปที่ขนาดมาตรฐานที่มีหน่วยเมกะบิตหนึ่งของหน่วยความจำ ความหนาแน่นสูงเป็นปกติต้องการ เพราะมันหมายถึง สามารถเก็บหน่วยความจำทางกายภาพเดียวกันพื้นที่ อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่นสูงมีข้อเสียของการใช้พลังงานเพิ่มขึ้นและ เนื่องจากกระแสไฟฟ้ามากขึ้นสร้างความร้อนมากขึ้น เพิ่มการสร้างความร้อนความหนาแน่นของชิปของหน่วยความจำเป็นที่เกี่ยวข้องกับขนาดของ transistors ในตัวเทคโนโลยีซิลิคอน ซึ่งตามกฎของมัวร์ ดังนั้น ความหนาแน่นหน่วยความจำมีแนวโน้มการห้องประมาณทุก ๆ สิบแปดเดือน

Results (Thai) 3:

ในความรู้สึกที่เข้มงวด ระยะความหนาแน่นหมายถึงจำนวนหน่วยต่อพื้นที่ตารางเซลล์
ของซิลิคอน อย่างไรก็ตามในทางปฏิบัติความหนาแน่นมักจะหมายถึงจำนวนบิตที่สามารถ
ถูกแสดงบนชิปขนาดมาตรฐาน ดังนั้น วิศวกรอาจหมายถึง ' ' 1 เม็ก
ชิ ' ' ความหมายมาตรฐานขนาดชิปที่ถือหนึ่งกิโลบิต แห่งความทรงจำ
มีความหนาแน่นสูงกว่ามักถูกใจเพราะมันหมายถึงหน่วยความจำเพิ่มเติมสามารถจัดขึ้นในพื้นที่ทางกายภาพ
เดียวกัน อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่นสูงกว่ามีข้อเสียของการใช้พลังงานเพิ่มขึ้น
และเนื่องจากกระแสไฟฟ้าสร้างความร้อนเพิ่มมากขึ้น เพิ่มความร้อนรุ่น .
ความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำที่เกี่ยวข้องกับขนาดของทรานซิสเตอร์ในต้นแบบ
ซิลิคอนเทคโนโลยี ซึ่งตามกฏของมัวร์ ดังนั้นความหนาแน่นความทรงจำมีแนวโน้ม
คู่ประมาณทุก 18 เดือน