Anion doping can contribute to new

Anion doping can contribute to new valence band formation and shift valence band edge upward to marrow the band gap to make the semiconductor visible light active

Results (Thai) 1:

โดปปิงค์ anion สามารถนำไปสู่กำเนิดวงเวเลนซ์ใหม่และขอบวงเวเลนซ์กะขึ้นไปไขช่องว่างวงที่ใช้สารกึ่งตัวนำแสงที่มองเห็น

Results (Thai) 2:

เติมประจุลบสามารถนำไปสู่​​การก่อตัวของวงดนตรีจุใหม่และเปลี่ยนขอบวงจุขึ้นไปไขกระดูกช่องว่างวงดนตรีที่จะทำให้มองเห็นแสงสารกึ่งตัวนำที่ใช้งาน

Results (Thai) 3:

การเติมประจุลบสามารถสนับสนุนรูปแบบใหม่ 2 วง และกะทิ วงขอบขึ้นเพื่อไขช่องว่างแถบให้เซมิคอนดักเตอร์แสงงาน