Measuring Memoryd Density– Refers t

Measuring Memory
d Density
– Refers to memory cells per square area of silicon
– Usually stated as number of bits on standard size chip
– Example: 4 meg chip holds four megabits of memory
– Note: higher density chip generates more heat
d Latency
– Time that elapses between the start of an operation and
the completion of the operation
– Not a constant

Results (Thai) 1:

วัดหน่วยความจำd ความหนาแน่น-อ้างถึงเซลล์หน่วยความจำต่อพื้นที่ตารางของซิลิคอน– มักระบุเป็นจำนวนของบิตบนชิปขนาดมาตรฐาน-ตัวอย่าง: megabits สี่หน่วยความจำจัดเก็บ 4 เม็กชิ-หมายเหตุ: ชิความหนาแน่นสูงสร้างความร้อนมากขึ้นd แฝง-เวลาที่ผ่านไประหว่างจุดเริ่มต้นของการดำเนินงาน และความสมบูรณ์ของการดำเนินงาน-ไม่คง

Results (Thai) 2:

วัดหน่วยความจำ
ความหนาแน่นง
- หมายถึงเซลล์หน่วยความจำต่อพื้นที่ตารางของซิลิกอน
- ที่ระบุไว้มักจะเป็นจำนวนบิตบนชิปขนาดมาตรฐาน
- ตัวอย่าง: 4 ชิปฉันยกสี่เมกะบิตของหน่วยความจำ
- หมายเหตุ: ชิปหนาแน่นสูงสร้างความร้อนมากขึ้น
งแฝง
- เวลาที่ ผ่านไประหว่างการเริ่มต้นของการดำเนินงานและ
ความสำเร็จของการดำเนินงาน
- ไม่คงที่

Results (Thai) 3:

วัดความจำ
D
หมายถึงเซลล์หน่วยความจำและความหนาแน่นต่อพื้นที่ตารางของซิลิคอน
–มักระบุเป็นจำนวนบิตในขนาดมาตรฐานชิป
–ตัวอย่าง : 4 เม็กชิถือสี่กิกะไบต์ของหน่วยความจำชิปหมายเหตุ–
: ความหนาแน่นสร้างความร้อนมากขึ้น
d (
) เวลาที่ผ่านไประหว่างเริ่มผ่าตัด ความสำเร็จของการดำเนินงานและ

( ไม่คงที่