- Text
- History
Platinum thin films are used in var
Platinum thin films are used in various microelectronic and
micro-sensor applications. The microstructural, chemical, and electrical
stability of these films under high-temperature conditions
are of major concern. In addition, stability is also a concern for
potential extended use in specialized microelectronic applications,
especially when the films are used as thin, two-dimensional interconnects
or electrodes connecting active components at elevated
temperatures. Typical applications of these high-temperature
films are aligned with electrodes/interconnects for chemical sensors,
micro-heaters and -hotplates within microelectromechanical
systems (MEMS) [1–6]. Recently, more advanced MEM systems
have been applied within extreme environments, which
includes high temperatures and harsh chemical reactants, such as
micro-chemical emission sensors, -structural monitoring sensors,
-thermocouples, and -fuel cell systems that are utilized at temperatures
>600–800 ◦C [7–13].
High melting point noble metals are most suited for extreme
environment applications. Platinum, with its relatively high melting
point (1773 ◦C) and excellent chemical inertness, has long
been utilized for MEMs devices capable of operating at elevated
temperatures. Pt and other noble metals have a great chemical
inertness; however, these metals show poor adhesion and high surface
tension toward oxide surfaces. Budhani et al. demonstrated an
interface modification between thermally grown aluminum oxide
(Al2O3) and thin Pt films via reactive sputtering with low levels
of oxygen in order to obtain a 20–30 nm PtxO1−x layer prior to
pure platinum metal deposition. Adhesion tests showed a higher
level of adhesion compared to the conventional Pt + Al2O3 couple.
The authors indicated that strong PtxO1−x to Al2O3 bonding and
interdiffusion at the interface were responsible for the enhanced
adhesion [14].
Although the controlled oxidation of a sub-layer of Pt showed
promise for enhanced wetting and adhesion to oxide substrates,
various researchers have focused on incorporating alternative
metal/metal oxide layer compositions. These thin coatings
were deposited to improve noble metal adhesion, as well as, to
improve the thermal stability over prolonged exposure to high
temperatures. High temperature operating conditions lead to
the development of many structural defects, such as hillocks,
film delamination, surface cracking, voids and grain coarsening,
which all eventually result in non-uniform film morphology and
variable electrical response [1–5,15–18]. At high temperatures
(≥700 ◦C), grain coarsening and hillock formation are the major
mechanisms that break the percolated granular network across the
polycrystalline film [3,19–22]. Since low-temperature sputtering
and evaporation techniques typically produce films with high
surface area granular structures, these films possess an extremely
high driving force for sintering and grain growth processes. Hightemperature
operation permits the required diffusional kinetics
for accelerated grain growth, resulting in the coalescence of the
grains and the formation of a poorly percolated structure [21,23].
In other words, the total interfacial and surface energy of the thin
film can be minimized by reducing ceramic–metal contact area by
creating islands of Pt material. The destruction of the integrity of
the continuous film eventually results in complete loss of electrical
continuity, which diminishes the functionality, reliability and
sensitivity of the micromachined devices.
Metals such as Ti and Ta have been proposed and demonstrated
with variable success to decrease both Pt grain coarsening and
hillock formation. Lee et al. optimized the procedure first defined by
Budhani et al. for deposition of Pt over insulating oxide layers with
improved adhesion. According to this procedure, platinum deposition
under an oxidation atmosphere, followed by inert atmosphere
deposition of Pt and subsequent annealing of silicon substrate
at 400–1300 ◦C, removed the remaining O2 in the Pt film [24].
Recently, Tiggelaar et al. compared the use of the PtxO1−x adhesion
layer to the use of Ti or Ta adhesion layers. These layers were
deposited by sputtering onto silicon and Si3N4 substrates. After
annealing between 400 and 950 ◦C under inert and oxygen containing
atmospheres, their electrical and structural performances were
characterized [25]. The authors concluded that the operational reliability
of Pt films with Ti and Ta adhesion layers are limited to
temperatures below 650 ◦C and 850 ◦C, respectively. In the same
study, the fast diffusion behavior of Ti and the resultant changes
to the wetting characteristics of Pt on the Ti layer over different
ceramic layers (Al2O3, Ta2O5, SiO2 and Si3N4) were also described.
Firebaugh et al. used a similar Ta adhesion strategy on silicon rich
silicon nitride. This study states that the adhesion layer migration
and co
micro-sensor applications. The microstructural, chemical, and electrical
stability of these films under high-temperature conditions
are of major concern. In addition, stability is also a concern for
potential extended use in specialized microelectronic applications,
especially when the films are used as thin, two-dimensional interconnects
or electrodes connecting active components at elevated
temperatures. Typical applications of these high-temperature
films are aligned with electrodes/interconnects for chemical sensors,
micro-heaters and -hotplates within microelectromechanical
systems (MEMS) [1–6]. Recently, more advanced MEM systems
have been applied within extreme environments, which
includes high temperatures and harsh chemical reactants, such as
micro-chemical emission sensors, -structural monitoring sensors,
-thermocouples, and -fuel cell systems that are utilized at temperatures
>600–800 ◦C [7–13].
High melting point noble metals are most suited for extreme
environment applications. Platinum, with its relatively high melting
point (1773 ◦C) and excellent chemical inertness, has long
been utilized for MEMs devices capable of operating at elevated
temperatures. Pt and other noble metals have a great chemical
inertness; however, these metals show poor adhesion and high surface
tension toward oxide surfaces. Budhani et al. demonstrated an
interface modification between thermally grown aluminum oxide
(Al2O3) and thin Pt films via reactive sputtering with low levels
of oxygen in order to obtain a 20–30 nm PtxO1−x layer prior to
pure platinum metal deposition. Adhesion tests showed a higher
level of adhesion compared to the conventional Pt + Al2O3 couple.
The authors indicated that strong PtxO1−x to Al2O3 bonding and
interdiffusion at the interface were responsible for the enhanced
adhesion [14].
Although the controlled oxidation of a sub-layer of Pt showed
promise for enhanced wetting and adhesion to oxide substrates,
various researchers have focused on incorporating alternative
metal/metal oxide layer compositions. These thin coatings
were deposited to improve noble metal adhesion, as well as, to
improve the thermal stability over prolonged exposure to high
temperatures. High temperature operating conditions lead to
the development of many structural defects, such as hillocks,
film delamination, surface cracking, voids and grain coarsening,
which all eventually result in non-uniform film morphology and
variable electrical response [1–5,15–18]. At high temperatures
(≥700 ◦C), grain coarsening and hillock formation are the major
mechanisms that break the percolated granular network across the
polycrystalline film [3,19–22]. Since low-temperature sputtering
and evaporation techniques typically produce films with high
surface area granular structures, these films possess an extremely
high driving force for sintering and grain growth processes. Hightemperature
operation permits the required diffusional kinetics
for accelerated grain growth, resulting in the coalescence of the
grains and the formation of a poorly percolated structure [21,23].
In other words, the total interfacial and surface energy of the thin
film can be minimized by reducing ceramic–metal contact area by
creating islands of Pt material. The destruction of the integrity of
the continuous film eventually results in complete loss of electrical
continuity, which diminishes the functionality, reliability and
sensitivity of the micromachined devices.
Metals such as Ti and Ta have been proposed and demonstrated
with variable success to decrease both Pt grain coarsening and
hillock formation. Lee et al. optimized the procedure first defined by
Budhani et al. for deposition of Pt over insulating oxide layers with
improved adhesion. According to this procedure, platinum deposition
under an oxidation atmosphere, followed by inert atmosphere
deposition of Pt and subsequent annealing of silicon substrate
at 400–1300 ◦C, removed the remaining O2 in the Pt film [24].
Recently, Tiggelaar et al. compared the use of the PtxO1−x adhesion
layer to the use of Ti or Ta adhesion layers. These layers were
deposited by sputtering onto silicon and Si3N4 substrates. After
annealing between 400 and 950 ◦C under inert and oxygen containing
atmospheres, their electrical and structural performances were
characterized [25]. The authors concluded that the operational reliability
of Pt films with Ti and Ta adhesion layers are limited to
temperatures below 650 ◦C and 850 ◦C, respectively. In the same
study, the fast diffusion behavior of Ti and the resultant changes
to the wetting characteristics of Pt on the Ti layer over different
ceramic layers (Al2O3, Ta2O5, SiO2 and Si3N4) were also described.
Firebaugh et al. used a similar Ta adhesion strategy on silicon rich
silicon nitride. This study states that the adhesion layer migration
and co
0/5000
Platinum thin films are used in various microelectronic andmicro-sensor applications. The microstructural, chemical, and electricalstability of these films under high-temperature conditionsare of major concern. In addition, stability is also a concern forpotential extended use in specialized microelectronic applications,especially when the films are used as thin, two-dimensional interconnectsor electrodes connecting active components at elevatedtemperatures. Typical applications of these high-temperaturefilms are aligned with electrodes/interconnects for chemical sensors,micro-heaters and -hotplates within microelectromechanicalsystems (MEMS) [1–6]. Recently, more advanced MEM systemshave been applied within extreme environments, whichincludes high temperatures and harsh chemical reactants, such asmicro-chemical emission sensors, -structural monitoring sensors,-thermocouples, and -fuel cell systems that are utilized at temperatures>600–800 ◦C [7–13].High melting point noble metals are most suited for extremeenvironment applications. Platinum, with its relatively high meltingpoint (1773 ◦C) and excellent chemical inertness, has longbeen utilized for MEMs devices capable of operating at elevatedtemperatures. Pt and other noble metals have a great chemicalinertness; however, these metals show poor adhesion and high surfacetension toward oxide surfaces. Budhani et al. demonstrated aninterface modification between thermally grown aluminum oxide(Al2O3) and thin Pt films via reactive sputtering with low levelsof oxygen in order to obtain a 20–30 nm PtxO1−x layer prior topure platinum metal deposition. Adhesion tests showed a higherlevel of adhesion compared to the conventional Pt + Al2O3 couple.The authors indicated that strong PtxO1−x to Al2O3 bonding andinterdiffusion at the interface were responsible for the enhancedadhesion [14].Although the controlled oxidation of a sub-layer of Pt showedpromise for enhanced wetting and adhesion to oxide substrates,various researchers have focused on incorporating alternativemetal/metal oxide layer compositions. These thin coatingswere deposited to improve noble metal adhesion, as well as, toimprove the thermal stability over prolonged exposure to hightemperatures. High temperature operating conditions lead tothe development of many structural defects, such as hillocks,film delamination, surface cracking, voids and grain coarsening,which all eventually result in non-uniform film morphology andvariable electrical response [1–5,15–18]. At high temperatures(≥700 ◦C), grain coarsening and hillock formation are the majormechanisms that break the percolated granular network across thepolycrystalline film [3,19–22]. Since low-temperature sputteringand evaporation techniques typically produce films with highsurface area granular structures, these films possess an extremelyhigh driving force for sintering and grain growth processes. Hightemperature
operation permits the required diffusional kinetics
for accelerated grain growth, resulting in the coalescence of the
grains and the formation of a poorly percolated structure [21,23].
In other words, the total interfacial and surface energy of the thin
film can be minimized by reducing ceramic–metal contact area by
creating islands of Pt material. The destruction of the integrity of
the continuous film eventually results in complete loss of electrical
continuity, which diminishes the functionality, reliability and
sensitivity of the micromachined devices.
Metals such as Ti and Ta have been proposed and demonstrated
with variable success to decrease both Pt grain coarsening and
hillock formation. Lee et al. optimized the procedure first defined by
Budhani et al. for deposition of Pt over insulating oxide layers with
improved adhesion. According to this procedure, platinum deposition
under an oxidation atmosphere, followed by inert atmosphere
deposition of Pt and subsequent annealing of silicon substrate
at 400–1300 ◦C, removed the remaining O2 in the Pt film [24].
Recently, Tiggelaar et al. compared the use of the PtxO1−x adhesion
layer to the use of Ti or Ta adhesion layers. These layers were
deposited by sputtering onto silicon and Si3N4 substrates. After
annealing between 400 and 950 ◦C under inert and oxygen containing
atmospheres, their electrical and structural performances were
characterized [25]. The authors concluded that the operational reliability
of Pt films with Ti and Ta adhesion layers are limited to
temperatures below 650 ◦C and 850 ◦C, respectively. In the same
study, the fast diffusion behavior of Ti and the resultant changes
to the wetting characteristics of Pt on the Ti layer over different
ceramic layers (Al2O3, Ta2O5, SiO2 and Si3N4) were also described.
Firebaugh et al. used a similar Ta adhesion strategy on silicon rich
silicon nitride. This study states that the adhesion layer migration
and co
operation permits the required diffusional kinetics
for accelerated grain growth, resulting in the coalescence of the
grains and the formation of a poorly percolated structure [21,23].
In other words, the total interfacial and surface energy of the thin
film can be minimized by reducing ceramic–metal contact area by
creating islands of Pt material. The destruction of the integrity of
the continuous film eventually results in complete loss of electrical
continuity, which diminishes the functionality, reliability and
sensitivity of the micromachined devices.
Metals such as Ti and Ta have been proposed and demonstrated
with variable success to decrease both Pt grain coarsening and
hillock formation. Lee et al. optimized the procedure first defined by
Budhani et al. for deposition of Pt over insulating oxide layers with
improved adhesion. According to this procedure, platinum deposition
under an oxidation atmosphere, followed by inert atmosphere
deposition of Pt and subsequent annealing of silicon substrate
at 400–1300 ◦C, removed the remaining O2 in the Pt film [24].
Recently, Tiggelaar et al. compared the use of the PtxO1−x adhesion
layer to the use of Ti or Ta adhesion layers. These layers were
deposited by sputtering onto silicon and Si3N4 substrates. After
annealing between 400 and 950 ◦C under inert and oxygen containing
atmospheres, their electrical and structural performances were
characterized [25]. The authors concluded that the operational reliability
of Pt films with Ti and Ta adhesion layers are limited to
temperatures below 650 ◦C and 850 ◦C, respectively. In the same
study, the fast diffusion behavior of Ti and the resultant changes
to the wetting characteristics of Pt on the Ti layer over different
ceramic layers (Al2O3, Ta2O5, SiO2 and Si3N4) were also described.
Firebaugh et al. used a similar Ta adhesion strategy on silicon rich
silicon nitride. This study states that the adhesion layer migration
and co
Being translated, please wait..
Platinum màng mỏng được sử dụng trong các vi điện tử và
ứng dụng vi cảm biến. Các cấu vi, hóa chất, điện và
ổn định của những bộ phim này dưới điều kiện nhiệt độ cao
là mối quan tâm lớn. Ngoài ra, sự ổn định cũng là một mối quan tâm cho
sử dụng mở rộng tiềm năng trong các ứng dụng vi điện tử chuyên ngành,
đặc biệt là khi phim được sử dụng như mỏng, liên kết nối hai chiều
hoặc điện cực kết nối các thành phần hoạt động tại độ cao
nhiệt độ. Ứng dụng điển hình của những nhiệt độ cao
bộ phim được phù hợp với điện / liên kết nối cho cảm biến hóa học,
vi-đun và -hotplates trong vi điện tử
hệ thống (MEMS) [1-6]. Gần đây, các hệ thống MEM tiên tiến hơn
đã được áp dụng trong môi trường khắc nghiệt, trong đó
bao gồm cả nhiệt độ cao và chất phản ứng hóa học khắc nghiệt, chẳng hạn như
cảm biến khí thải vi hóa học, cảm biến giám sát -structural,
-thermocouples, và các hệ thống tế bào -fuel được sử dụng ở nhiệt độ
> 600 -800 ◦C [7-13].
điểm nóng chảy cao kim loại quý tộc là thích hợp nhất cho cực
ứng dụng môi trường. Platinum, với của nó tương đối cao nóng chảy
điểm (1773 ◦C) và tính trơ hóa chất tuyệt vời, từ lâu đã
được sử dụng cho các thiết bị MEMs có khả năng hoạt động ở độ cao
nhiệt độ. Pt và kim loại quý khác có một hóa chất rất
trơ; Tuy nhiên, các kim loại này cho thấy độ bám dính kém và bề mặt cao
căng thẳng về phía bề mặt oxit. Budhani et al. chứng minh một
sửa đổi giao diện giữa oxit nhiệt lớn nhôm
(Al2O3) và phim Pt mỏng thông qua phương pháp phún xạ phản ứng với các mức thấp
của oxy để có được một 20-30 nm PtxO1-x lớp trước khi
tinh khiết đọng bạch kim. Kiểm tra độ bám dính cho thấy một cao hơn
mức độ bám dính so với các cặp vợ chồng Pt + Al2O3 thông thường.
Các tác giả chỉ ra rằng mạnh PtxO1-x để Al2O3 liên kết và
interdiffusion tại giao diện chịu trách nhiệm về tăng cường
độ bám dính [14].
Mặc dù quá trình oxy hóa có kiểm soát của một phụ -layer của Pt cho thấy
lời hứa tăng cường làm ướt và bám dính vào chất oxit,
các nhà nghiên cứu khác nhau đã tập trung vào việc kết hợp thay thế
kim loại / kim loại tác phẩm lớp oxit. Các lớp phủ mỏng
được lắng đọng để cải thiện độ bám dính kim loại quý tộc, cũng như để
cải thiện sự ổn định nhiệt qua tiếp xúc kéo dài đến cao
nhiệt độ. Điều kiện hoạt động Nhiệt độ cao dẫn đến
sự phát triển của nhiều khiếm khuyết cấu trúc, như gò,
phim phân lớp, bề mặt nứt, lỗ rỗng và coarsening ngũ cốc,
mà tất cả cuối cùng dẫn đến hình thái bộ phim không đồng nhất và
phản ứng điện biến [1-5,15-18 ]. Ở nhiệt độ cao
(≥700 ◦C), coarsening hạt và hình thành cồn là chính
cơ chế phá vỡ các mạng lưới hạt percolated trên
phim đa tinh thể [3,19-22]. Kể từ khi phún xạ ở nhiệt độ thấp
và bốc hơi kỹ thuật thường sản xuất những bộ phim với độ cao
cấu trúc dạng hạt diện tích bề mặt, những phim cực kỳ
lực cao cho quá trình thiêu kết và phát triển hạt. Hightemperature
giấy phép hoạt động động học diffusional cần thiết
cho sự phát triển hạt tăng tốc, dẫn đến sự kết dính của các
loại ngũ cốc và sự hình thành của một cấu trúc kém percolated [21,23].
Nói cách khác, tổng bề mặt năng lượng của mỏng
bộ phim có thể được giảm thiểu bằng cách giảm diện tích tiếp xúc gốm kim loại bằng cách
tạo ra các hòn đảo của Pt vật chất. Sự hủy diệt của toàn vẹn của
bộ phim liên tục cuối cùng dẫn đến mất hoàn toàn của điện
liên tục, mà làm giảm các chức năng, độ tin cậy và
độ nhạy của thiết bị vi cơ khí.
Kim loại như Ti và Ta đã được đề xuất và đã chứng minh
thành công biến để làm giảm cả Pt hạt coarsening và
hình thành cồn. Lee et al. tối ưu hóa các thủ tục đầu tiên được xác định bởi
Budhani et al. cho sự lắng đọng của Pt trên cách điện lớp oxit với
cải thiện độ bám dính. Theo phương thức này, bạch kim tụ
dưới một bầu không khí oxy hóa, tiếp theo là khí trơ
lắng đọng của Pt và ủ tiếp theo của chất nền silicon
ở 400-1300 ◦C, loại bỏ O2 còn lại trong bộ phim Pt [24].
Gần đây, Tiggelaar et al. so sánh việc sử dụng độ bám dính PtxO1-x
lớp đến việc sử dụng của Ti hoặc Tạ lớp bám dính. Những lớp này được
gửi bằng cách thổi vào silicon và các chất nền Si3N4. Sau khi
ủ giữa 400 và 950 ◦C dưới trơ và oxy chứa
khí quyển, biểu diễn điện và kết cấu của họ đã được
đặc trưng [25]. Các tác giả kết luận rằng độ tin cậy hoạt động
của các bộ phim Pt với Ti và Tạ lớp bám dính được giới hạn ở
nhiệt độ dưới 650 ◦C và 850 ◦C, tương ứng. Trong cùng
nghiên cứu, sự khuếch tán hành vi nhanh chóng của Ti và những thay đổi kết quả
với đặc điểm ẩm của Pt trên lớp Ti trên khác nhau
lớp gốm (Al2O3, Ta2O5, SiO2 và Si3N4) cũng đã được mô tả.
Firebaugh et al. sử dụng một chiến lược bám dính Tạ tương tự trên silicon giàu
silicon nitride. Nghiên cứu này khẳng định rằng việc chuyển đổi lớp bám dính
và đồng
ứng dụng vi cảm biến. Các cấu vi, hóa chất, điện và
ổn định của những bộ phim này dưới điều kiện nhiệt độ cao
là mối quan tâm lớn. Ngoài ra, sự ổn định cũng là một mối quan tâm cho
sử dụng mở rộng tiềm năng trong các ứng dụng vi điện tử chuyên ngành,
đặc biệt là khi phim được sử dụng như mỏng, liên kết nối hai chiều
hoặc điện cực kết nối các thành phần hoạt động tại độ cao
nhiệt độ. Ứng dụng điển hình của những nhiệt độ cao
bộ phim được phù hợp với điện / liên kết nối cho cảm biến hóa học,
vi-đun và -hotplates trong vi điện tử
hệ thống (MEMS) [1-6]. Gần đây, các hệ thống MEM tiên tiến hơn
đã được áp dụng trong môi trường khắc nghiệt, trong đó
bao gồm cả nhiệt độ cao và chất phản ứng hóa học khắc nghiệt, chẳng hạn như
cảm biến khí thải vi hóa học, cảm biến giám sát -structural,
-thermocouples, và các hệ thống tế bào -fuel được sử dụng ở nhiệt độ
> 600 -800 ◦C [7-13].
điểm nóng chảy cao kim loại quý tộc là thích hợp nhất cho cực
ứng dụng môi trường. Platinum, với của nó tương đối cao nóng chảy
điểm (1773 ◦C) và tính trơ hóa chất tuyệt vời, từ lâu đã
được sử dụng cho các thiết bị MEMs có khả năng hoạt động ở độ cao
nhiệt độ. Pt và kim loại quý khác có một hóa chất rất
trơ; Tuy nhiên, các kim loại này cho thấy độ bám dính kém và bề mặt cao
căng thẳng về phía bề mặt oxit. Budhani et al. chứng minh một
sửa đổi giao diện giữa oxit nhiệt lớn nhôm
(Al2O3) và phim Pt mỏng thông qua phương pháp phún xạ phản ứng với các mức thấp
của oxy để có được một 20-30 nm PtxO1-x lớp trước khi
tinh khiết đọng bạch kim. Kiểm tra độ bám dính cho thấy một cao hơn
mức độ bám dính so với các cặp vợ chồng Pt + Al2O3 thông thường.
Các tác giả chỉ ra rằng mạnh PtxO1-x để Al2O3 liên kết và
interdiffusion tại giao diện chịu trách nhiệm về tăng cường
độ bám dính [14].
Mặc dù quá trình oxy hóa có kiểm soát của một phụ -layer của Pt cho thấy
lời hứa tăng cường làm ướt và bám dính vào chất oxit,
các nhà nghiên cứu khác nhau đã tập trung vào việc kết hợp thay thế
kim loại / kim loại tác phẩm lớp oxit. Các lớp phủ mỏng
được lắng đọng để cải thiện độ bám dính kim loại quý tộc, cũng như để
cải thiện sự ổn định nhiệt qua tiếp xúc kéo dài đến cao
nhiệt độ. Điều kiện hoạt động Nhiệt độ cao dẫn đến
sự phát triển của nhiều khiếm khuyết cấu trúc, như gò,
phim phân lớp, bề mặt nứt, lỗ rỗng và coarsening ngũ cốc,
mà tất cả cuối cùng dẫn đến hình thái bộ phim không đồng nhất và
phản ứng điện biến [1-5,15-18 ]. Ở nhiệt độ cao
(≥700 ◦C), coarsening hạt và hình thành cồn là chính
cơ chế phá vỡ các mạng lưới hạt percolated trên
phim đa tinh thể [3,19-22]. Kể từ khi phún xạ ở nhiệt độ thấp
và bốc hơi kỹ thuật thường sản xuất những bộ phim với độ cao
cấu trúc dạng hạt diện tích bề mặt, những phim cực kỳ
lực cao cho quá trình thiêu kết và phát triển hạt. Hightemperature
giấy phép hoạt động động học diffusional cần thiết
cho sự phát triển hạt tăng tốc, dẫn đến sự kết dính của các
loại ngũ cốc và sự hình thành của một cấu trúc kém percolated [21,23].
Nói cách khác, tổng bề mặt năng lượng của mỏng
bộ phim có thể được giảm thiểu bằng cách giảm diện tích tiếp xúc gốm kim loại bằng cách
tạo ra các hòn đảo của Pt vật chất. Sự hủy diệt của toàn vẹn của
bộ phim liên tục cuối cùng dẫn đến mất hoàn toàn của điện
liên tục, mà làm giảm các chức năng, độ tin cậy và
độ nhạy của thiết bị vi cơ khí.
Kim loại như Ti và Ta đã được đề xuất và đã chứng minh
thành công biến để làm giảm cả Pt hạt coarsening và
hình thành cồn. Lee et al. tối ưu hóa các thủ tục đầu tiên được xác định bởi
Budhani et al. cho sự lắng đọng của Pt trên cách điện lớp oxit với
cải thiện độ bám dính. Theo phương thức này, bạch kim tụ
dưới một bầu không khí oxy hóa, tiếp theo là khí trơ
lắng đọng của Pt và ủ tiếp theo của chất nền silicon
ở 400-1300 ◦C, loại bỏ O2 còn lại trong bộ phim Pt [24].
Gần đây, Tiggelaar et al. so sánh việc sử dụng độ bám dính PtxO1-x
lớp đến việc sử dụng của Ti hoặc Tạ lớp bám dính. Những lớp này được
gửi bằng cách thổi vào silicon và các chất nền Si3N4. Sau khi
ủ giữa 400 và 950 ◦C dưới trơ và oxy chứa
khí quyển, biểu diễn điện và kết cấu của họ đã được
đặc trưng [25]. Các tác giả kết luận rằng độ tin cậy hoạt động
của các bộ phim Pt với Ti và Tạ lớp bám dính được giới hạn ở
nhiệt độ dưới 650 ◦C và 850 ◦C, tương ứng. Trong cùng
nghiên cứu, sự khuếch tán hành vi nhanh chóng của Ti và những thay đổi kết quả
với đặc điểm ẩm của Pt trên lớp Ti trên khác nhau
lớp gốm (Al2O3, Ta2O5, SiO2 và Si3N4) cũng đã được mô tả.
Firebaugh et al. sử dụng một chiến lược bám dính Tạ tương tự trên silicon giàu
silicon nitride. Nghiên cứu này khẳng định rằng việc chuyển đổi lớp bám dính
và đồng
Being translated, please wait..
Other languages
The translation tool support: Afrikaans, Albanian, Amharic, Arabic, Armenian, Azerbaijani, Basque, Belarusian, Bengali, Bosnian, Bulgarian, Catalan, Cebuano, Chichewa, Chinese, Chinese Traditional, Corsican, Croatian, Czech, Danish, Detect language, Dutch, English, Esperanto, Estonian, Filipino, Finnish, French, Frisian, Galician, Georgian, German, Greek, Gujarati, Haitian Creole, Hausa, Hawaiian, Hebrew, Hindi, Hmong, Hungarian, Icelandic, Igbo, Indonesian, Irish, Italian, Japanese, Javanese, Kannada, Kazakh, Khmer, Kinyarwanda, Klingon, Korean, Kurdish (Kurmanji), Kyrgyz, Lao, Latin, Latvian, Lithuanian, Luxembourgish, Macedonian, Malagasy, Malay, Malayalam, Maltese, Maori, Marathi, Mongolian, Myanmar (Burmese), Nepali, Norwegian, Odia (Oriya), Pashto, Persian, Polish, Portuguese, Punjabi, Romanian, Russian, Samoan, Scots Gaelic, Serbian, Sesotho, Shona, Sindhi, Sinhala, Slovak, Slovenian, Somali, Spanish, Sundanese, Swahili, Swedish, Tajik, Tamil, Tatar, Telugu, Thai, Turkish, Turkmen, Ukrainian, Urdu, Uyghur, Uzbek, Vietnamese, Welsh, Xhosa, Yiddish, Yoruba, Zulu, Language translation.
- I'm selfish, impatient, and a little ins
- I NEED A ROMANTIC
- whilst the country south of the canal, t
- ร้านอาหารจ้ามากินข้าว
- ในวันที่11สิงหาคม..ฉันคิดว่าถ้าไม่มีอะไร
- Ở trường đại học, tôi chỉ được họ
- ในวันที่11สิงหาคม..ฉันคิดว่าถ้าไม่มีอะไร
- บอสฺฺจะเดินทางมาเมืองไทยเมื่อไหร่
- อายุ : 25 ปี ส่วนสูง : 168 นิสัย :
- No problem, beautiful lady
- อายุ : 25 ปี ส่วนสูง : 168 นิสัย :
- Wesley‟s letter emphasized reliance on G
- You often contemplate the reasons for hu
- No problem, beautiful
- exceeding
- They deducted that individualized irriga
- อายุ : 27 ปี ส่วนสูง : 180 นิสัย :
- เก๊กฮวย
- I'M Just Roleplayer
- อายุ : 25 ปี ส่วนสูง : 165 นิสัย :
- พรุ่งนี้ไปเรียนทำอาหาร วันแรก
- เก๊กฮวย
- Investigate the relationship between des
- อายุ : 25 ปี ส่วนสูง : 165 นิสัย :
