Equation (20.8) is quite revealing

Equation (20.8) is quite revealing because it shows that as Vcs decreases, the difference in
the mirrored currents increases due to threshold voltage mismatch. This is particularly
critical for devices that are separated by relatively long distances because the threshold
voltage is susceptible to process gradients. To attain high speed and to reduce the effects
of threshold voltage mismatch, a large gate overdrive voltage should be used
(remembering for a long-channel process that Vov„ = VDs, sat = VGS - VTHN)- Of course the
drawback, for a current mirror, is a reduced range of compliance (the MOSFET enters the
triode region earlier).

Results (Vietnamese) 1:

Phương trình (20.8) khá tiết lộ bởi vì nó cho thấy rằng như Vcs giảm, sự khác biệt trongCác dòng được nhân đôi tăng do ngưỡng điện áp mismatch. Đây là đặc biệtquan trọng cho các thiết bị được ngăn cách bởi khoảng cách tương đối dài vì ngưỡngđiện áp là dễ bị quá trình gradient. Để đạt được tốc độ cao và giảm bớt những ảnh hưởngcủa ngưỡng điện áp không phù hợp, một điện áp cho chạy nhiều cổng lớn nên được sử dụng(ghi nhớ cho lâu dài kênh xử lý đó Vov"= VDs, ngồi = VGS - VTHN) - tất nhiên cácNhược điểm, cho một máy nhân bản hiện nay, là một loạt giảm tuân thủ (MOSFET vào cácTriode vùng trước đó).

Results (Vietnamese) 2:

Phương trình (20.8) là khá tiết lộ vì nó cho thấy như VCS giảm, sự khác biệt trong
các dòng điện tăng nhân đôi do điện áp ngưỡng không phù hợp. Điều này đặc biệt
quan trọng đối với các thiết bị được phân cách bởi khoảng cách tương đối dài vì ngưỡng
điện áp rất dễ bị quá trình gradient. Để đạt được tốc độ cao và làm giảm tác dụng
của điện áp ngưỡng không phù hợp, cửa lớn điện áp cho chạy nhiều nên được sử dụng
(nhớ cho một quá trình dài kênh VOV "= VDS, ngồi = VGS - VTHN) - Tất nhiên những
nhược điểm, cho một nhân bản hiện nay, là một dải giảm tuân thủ (các MOSFET đi vào
khu vực triode trước đó).