Large-area indirect-conversion syst

Large-area indirect-conversion systems use CsI or gadolinium oxisulphide
(Gd2O2S) as an X-ray detector. The scintillators and phosphors used in indirectconversion
detectors can be either structured or unstructured (Fig. 2.6). Unstructured
scintillators scatter a large amount of light and this reduces spatial resolution
[14]. Structured scintillators consist of phosphor material in a needlelike structure
(the needles being perpendicular to the screen surface). This increases the number
of X-ray photon interactions and reduces the lateral scattering of light photons [14].
When the scintillator layer is exposed to X-rays the beam is absorbed and
converted into fluorescent light. At a second stage that light is converted into an
electric charge by means of an a-Si photodiode array [15]. Indirect conversion
detectors are constructed by adding an a-Si photodiode circuitry and a scintillator as
the top layers of the TFT sandwich. These layers replace the X-ray semiconductor
layer used in a direct-conversion device [20]. The active area of the detector is
divided into an integrated array of image elements—the pixel—and each element
contains a photodiode and a TFT switch available for the readout process.
Recent developments for a novel pixel-structured scintillation screen with
nanocrystalline Gd2O3:Eu particle sizes for high-spatial-resolution X-ray imaging
detectors are being made for indirect X-ray imaging sensors with high sensitivity
and high spatial resolution

Results (Thai) 1:

CsI หรือแกโดลิเนียม oxisulphide ใช้ระบบทางอ้อมแปลงพื้นที่ขนาดใหญ่(Gd2O2S) เป็นการตรวจเอกซเรย์ Scintillators และ phosphors ที่ใช้ใน indirectconversionสามารถตรวจจับโครงสร้าง หรือไม่มีโครงสร้าง (Fig. 2.6) ไม่มีโครงสร้างscintillators กระจายแสงจำนวนมาก และนี้ลดความละเอียดของปริภูมิ[14] . scintillators แบบมีโครงสร้างประกอบวัสดุ phosphor ในโครงสร้าง needlelike(เข็มจะตั้งฉากกับพื้นผิวหน้าจอ) เพิ่มจำนวนโต้ตอบเราเอ็กซ์เรย์ และลด scattering ที่ด้านข้างของ photons แสง [14]เมื่อสัมผัสชั้น scintillator ธาตุแสงถูกดูด และแปลงไฟเรืองแสง ในขั้นตอนที่สอง ไฟที่ถูกแปลงเป็นการประจุไฟฟ้าโดยใช้อาร์เรย์ photodiode ที่ศรี [15] แปลงทางอ้อมจับถูกสร้าง โดยการเพิ่มวงจรมี photodiode เป็นศรีและ scintillator เป็นชั้นบนสุดของแซนวิ TFT ชั้นเหล่านี้แทนสารกึ่งตัวนำเอ็กซ์เรย์ชั้นที่ใช้ในอุปกรณ์แปลงตรง [20] พื้นที่ใช้งานของเครื่องตรวจจับแบ่งเป็นแถวรวมขององค์ประกอบของภาพคือพิกเซล — และแต่ละองค์ประกอบประกอบด้วย photodiode และสวิตช์ TFT พร้อมใช้งานสำหรับกระบวนการ readoutพัฒนาล่าสุดสำหรับจอ scintillation พิกเซลโครงสร้างนวนิยายด้วยขนาดอนุภาค Gd2O3:Eu nanocrystalline สูงพื้นที่ความละเอียดภาพเอ็กซ์เรย์มีการทำเครื่องตรวจจับสำหรับเซ็นเซอร์ถ่ายภาพเอ็กซ์เรย์ทางอ้อม มีความไวสูงและความละเอียดสูงในพื้นที่

Results (Thai) 2:

พื้นที่ขนาดใหญ่ระบบทางอ้อมแปลงใช้ CsI หรือแกโดลิเนียม oxisulphide
(Gd2O2S) เป็นเครื่องตรวจจับรังสีเอกซ์ scintillators และสารเรืองแสงที่ใช้ในการ indirectconversion
ตรวจจับสามารถเป็นได้ทั้งที่มีโครงสร้างหรือไม่มีโครงสร้าง (รูป. 2.6) ไม่มีโครงสร้าง
scintillators กระจายเป็นจำนวนมากของแสงและนี้จะช่วยลดความละเอียดเชิงพื้นที่
[14] scintillators โครงสร้างประกอบด้วยวัสดุสารเรืองแสงในโครงสร้าง needlelike
(เข็มเป็นแนวตั้งฉากกับพื้นผิวหน้าจอ) นี้จะเพิ่มจำนวน
ของการมีปฏิสัมพันธ์โฟตอน X-ray และช่วยลดการกระเจิงข้างของโฟตอนแสง [14].
เมื่อชั้น scintillator มีการสัมผัสกับรังสีเอกซ์ลำแสงจะถูกดูดซึมและ
แปลงเป็นไฟเรืองแสง ในขั้นตอนที่สองว่าแสงจะถูกแปลงเป็น
ค่าใช้จ่ายไฟฟ้าโดยวิธีการของอาเรย์โฟโตไดโอดศรี [15] แปลงทางอ้อม
ตรวจจับจะถูกสร้างขึ้นโดยการเพิ่ม-Si วงจรโฟโตไดโอดและ scintillator เป็น
ชั้นบนสุดของแซนวิช TFT เลเยอร์เหล่านี้แทนที่เซมิคอนดักเตอร์ X-ray
ชั้นใช้ในอุปกรณ์โดยตรงแปลง [20] พื้นที่ใช้งานของเครื่องตรวจจับจะถูก
แบ่งออกเป็นอาร์เรย์แบบบูรณาการของภาพองค์ประกอบพิกเซลและแต่ละองค์ประกอบ
มีโฟโตไดโอดและสวิทช์แบบ TFT ใช้ได้สำหรับกระบวนการกม.
ความคืบหน้าล่าสุดสำหรับหน้าจอประกายพิกเซลโครงสร้างนวนิยาย
nanocrystalline Gd2O3: EU ขนาดอนุภาคความละเอียดสูงเชิงพื้นที่ในการถ่ายภาพเอ็กซ์เรย์
ตรวจจับจะถูกสร้างขึ้นมาเพื่อการถ่ายภาพเซ็นเซอร์ X-ray ทางอ้อมที่มีความไวสูง
และความละเอียดเชิงพื้นที่สูง

Results (Thai) 3:

เขตอ้อมใหญ่ระบบการแปลงใช้ CSI หรือกระบอกเสียง oxisulphide
( gd2o2s ) เป็นเอกซเรย์ตรวจจับ การ scintillators phosphors และใช้ในเครื่องตรวจจับ indirectconversion
สามารถเป็นได้ทั้งโครงสร้างหรือโครงร่าง ( รูปที่ 6 ) ใหม่
scintillators กระจายเป็นจำนวนมากของแสงและลดความละเอียด
อวกาศ [ 14 ]โครงสร้าง scintillators ประกอบด้วยวัสดุสารเรืองแสงในโครงสร้าง needlelike
( เข็มจะตั้งฉากกับพื้นผิวหน้าจอ ) นี้จะเพิ่มจำนวนโฟตอนของรังสีเอกซ์
และลดการกระจายของโฟตอนแสง [ 14 ] .
เมื่อเช่นชั้นโดนยุ คานจะถูกดูดซึมและ
แปลงเป็นหลอดไฟในขั้นตอนที่สองแสงแปลงเป็นพลังงานไฟฟ้าโดยใช้
ของอะมอร์ฟัสซิลิคอนโฟโตไดโอดเรย์ [ 15 ] เครื่องตรวจจับการเปลี่ยนแปลง
ทางอ้อมจะถูกสร้างขึ้น โดยการเพิ่มวงจรและอะมอร์ฟัสซิลิคอนโฟโตไดโอดเช่นเป็น
ชั้นด้านบนของ TFT แซนด์วิช ชั้นเหล่านี้แทนรังสีสารกึ่งตัวนำ
ชั้นใช้ในการแปลงโดยตรงอุปกรณ์ [ 20 ] พื้นที่ใช้งานของเครื่องตรวจจับ
แบ่งอาร์เรย์แบบบูรณาการขององค์ประกอบภาพพิกเซล และแต่ละองค์ประกอบ
มีโฟโตไดโอดและ TFT สลับใช้ได้สำหรับกระบวนการรุก .
ความคืบหน้าล่าสุดสำหรับพิกเซลจอข้อมูลนวนิยายโครงสร้างด้วย
gd2o3 nanocrystalline ขนาดอนุภาคสูงความละเอียดภาพเอกซเรย์พื้นที่ EU
Detectors การทำเซ็นเซอร์ภาพเอ็กซ์เรย์ทางอ้อมกับ
ไวสูงและมีความละเอียดเชิงพื้นที่