Figure 6.11 shows the ID-VDS charac

Figure 6.11 shows the ID-VDS characteristics of an NMOS device in the long-channel
process. Figure 6.12 shows the equivalent PMOS device. Notice that the devices are the
same size, 10/1, in the two simulations; however, the drain current of the PMOS is less
than half the drain current of the NMOS. This is related to the mobility of the holes being
two to three times lower than the mobility of the electrons. Electrons in the valence band
are more tightly coupled to the nucleus of an atom than are electrons in the conduction
band. Because apparent movement of holes is actually the result of electrons moving in
the valence band, the hole mobility is lower than electron (in conduction band) mobility.

Results (Vietnamese) 1:

Con số 6,11 cho thấy các đặc tính ID-VDS của thiết bị NMOS trong long-kênhquá trình. Con số 6,12 cho thấy thiết bị PMOS tương đương. Thông báo các thiết bị cáccùng kích thước, 10/1, trong mô phỏng hai; Tuy nhiên, hiện nay cống của các PMOS là ít hơnhơn một nửa các cống hiện tại của các NMOS. Điều này có liên quan đến di động của các lỗ hổng2-3 lần thấp hơn so với di động của các electron. Electron trong ban nhạc valenceđang chặt chẽ hơn cùng với hạt nhân nguyên tử hơn là các điện tử trong dẫnBan nhạc. Bởi vì các chuyển động biểu kiến của lỗ là thực sự là kết quả của các điện tử di chuyển trongBan nhạc valence, tính di động lỗ là thấp hơn điện tử (trong ban nhạc dẫn) tính di động.

Results (Vietnamese) 2:

Hình 6.11 cho thấy các đặc ID-VDS của một thiết bị NMOS trong dài kênh
quá trình. Hình 6.12 cho thấy các thiết bị PMOS tương đương. Chú ý rằng các thiết bị này có các
kích thước như nhau, 10/1, trong hai mô phỏng; Tuy nhiên, các cống hiện của PMOS là ít
hơn một nửa các cống hiện của NMOS. Điều này liên quan đến sự di chuyển của các lỗ là
thấp hơn so với sự di chuyển của các electron 2-3 lần. Các electron trong vùng hóa trị
được kết chặt chẽ hơn với các hạt nhân nguyên tử hơn là các điện tử trong conduction
band. Bởi vì rõ ràng chuyển động của lỗ thực sự là kết quả của các electron chuyển động trong
dải hóa trị, tính di động lỗ là thấp hơn so với electron (trong dẫn band) di động.